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We are always looking for specific approach to each cases & Provide full solutions.

本公司是以模數(shù)多波束相控陣毫米波射頻集成電路芯片設(shè)計(jì)為核心， 
服務(wù)于5G/6G通信等領(lǐng)域， 

聚焦行業(yè)AIOT邊緣物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)景智能化，融入產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)生態(tài)， 
致力于為未來(lái)通信與安全提供最具競(jìng)爭(zhēng)力的射頻前端。 

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射頻集成電路芯片
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工業(yè)型5G CPE產(chǎn)品 RXT-1000
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邊緣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品
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應(yīng)急單兵
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碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)漸入白熱化，這家國(guó)際大廠(chǎng)產(chǎn)能擴(kuò)大近3倍

碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)漸入白熱化，這家國(guó)際大廠(chǎng)產(chǎn)能擴(kuò)大近3倍

當(dāng)前，憑借高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，碳化硅功率器件已經(jīng)成為新能源汽車(chē)、5G通訊、軌道交通、智能電網(wǎng)等市場(chǎng)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)旗下化合物半導(dǎo)體研究處預(yù)測(cè)，2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，預(yù)期至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元。 當(dāng)前，全球碳化硅市場(chǎng)主要被國(guó)外廠(chǎng)商所占據(jù)，尤其是面對(duì)巨大的市場(chǎng)前景，STM、Infineon、Wolfspeed、ROHM、Onsemi等一眾國(guó)際半導(dǎo)體廠(chǎng)商都紛紛加碼擴(kuò)產(chǎn)。而近期，除了安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片外，SK集團(tuán)也宣布其釜山新工廠(chǎng)正式量產(chǎn)SiC，產(chǎn)能擴(kuò)大近3倍。 5月16日，SK集團(tuán)宣布，SK powertech位于釜山的新工廠(chǎng)結(jié)束試運(yùn)行，將正式投入批量生產(chǎn)。 這意味著SK集團(tuán)的SiC（碳化硅）半導(dǎo)體產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍，預(yù)計(jì)2026年SK powertech銷(xiāo)售額增長(zhǎng)將超過(guò)5000億韓元（約合3.74億美元）。 資料顯示，SK集團(tuán)是目前韓國(guó)首家擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的廠(chǎng)商，而旗下SK powertech則是全球SiC（碳化硅）電力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、生產(chǎn)領(lǐng)域的知名企業(yè)。 去年5月，SK集團(tuán)宣布，未來(lái)五年將投資247萬(wàn)億韓元（相當(dāng)于1976億美元）在半導(dǎo)體、電池以及生物制藥領(lǐng)域進(jìn)行投資，其中的179萬(wàn)億韓元將在韓國(guó)本土投資以協(xié)助韓國(guó)本土振興經(jīng)濟(jì)。 據(jù)“SK中國(guó)”介紹，SK powertech釜山新工廠(chǎng)計(jì)劃到2023年第四季度，工廠(chǎng)開(kāi)工率將提升至100%，屆時(shí)新工廠(chǎng)將具備年產(chǎn)29000張（150mm/6英寸晶片標(biāo)準(zhǔn)）規(guī)模的SiC電力半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，比目前的約10000張?zhí)嵘?倍。 ?
發(fā)布時(shí)間： : 2023-05-19 瀏覽量 : 0
2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞：清華大學(xué)集成電路學(xué)院研究成果入選

2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞：清華大學(xué)集成電路學(xué)院研究成果入選

近日，由科技日?qǐng)?bào)社主辦、部分兩院院士和媒體人士共同評(píng)選出的2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞揭曉，清華團(tuán)隊(duì)首次制成柵極長(zhǎng)度最小的晶體管入選2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞。 △亞1納米柵長(zhǎng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖 人類(lèi)又向摩爾定律的極限發(fā)起挑戰(zhàn)。這一次，中國(guó)人扮演了探索者的角色。清華大學(xué)集成電路學(xué)院團(tuán)隊(duì)首次制備出亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管，該晶體管具有良好的電學(xué)性能。相關(guān)成果在線(xiàn)發(fā)表在3月15日的《自然》雜志上。 過(guò)去幾十年，晶體管的柵極尺寸不斷微縮。隨著尺寸進(jìn)入納米尺度，電子遷移率降低、靜態(tài)功耗增大等效應(yīng)越發(fā)嚴(yán)重。新結(jié)構(gòu)和新材料的開(kāi)發(fā)迫在眉睫。目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12納米以上。為進(jìn)一步突破1納米以下柵長(zhǎng)晶體管的瓶頸，研究團(tuán)隊(duì)巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極，通過(guò)石墨烯側(cè)向電場(chǎng)來(lái)控制垂直的二硫化鉬（MoS_2）溝道的開(kāi)關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)等效的物理柵長(zhǎng)為0.34納米。 △隨著摩爾定律的發(fā)展，晶體管柵長(zhǎng)逐步微縮，本研究實(shí)現(xiàn)了亞1納米柵長(zhǎng)的晶體管 團(tuán)隊(duì)通過(guò)在石墨烯表面沉積金屬鋁并自然氧化的方式，完成了對(duì)石墨烯垂直方向電場(chǎng)的屏蔽。再使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質(zhì)、化學(xué)氣相沉積的單層二維二硫化鉬薄膜作為溝道。具體器件結(jié)構(gòu)、工藝流程、完成實(shí)物圖如下所示： △亞1納米柵長(zhǎng)晶體管器件工藝流程、示意圖、表征圖以及實(shí)物圖 研究發(fā)現(xiàn)，由于單層二維二硫化鉬薄膜相較于體硅材料具有更大的有效電子質(zhì)量和更低的介電常數(shù)，在超窄亞1納米物理柵長(zhǎng)控制下，晶體管能有效的開(kāi)啟、關(guān)閉，其關(guān)態(tài)電流在pA量級(jí)，開(kāi)關(guān)比可達(dá)105，亞閾值擺幅約117mV/dec。大量、多組實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果也驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)下的大規(guī)模應(yīng)用潛力?；诠に囉?jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（TCAD）的仿真結(jié)果進(jìn)一步表明了石墨烯邊緣電場(chǎng)對(duì)垂直二硫化鉬溝道的有效調(diào)控，預(yù)測(cè)了在同時(shí)縮短溝道長(zhǎng)度條件下，晶體管的電學(xué)性能情況。這項(xiàng)工作推動(dòng)了摩爾定律進(jìn)一步發(fā)展到亞1納米級(jí)別，同時(shí)為二維薄膜在未來(lái)集成電路的應(yīng)用提供了參考依據(jù)。 △統(tǒng)計(jì)目前工業(yè)界和學(xué)術(shù)界晶體管柵極長(zhǎng)度微縮的發(fā)展情況，本研究率先達(dá)到了亞1納米 紐約州立大學(xué)布法羅分校納米電子學(xué)家李華民對(duì)此評(píng)價(jià)道：這項(xiàng)新工作將柵極的尺寸極限進(jìn)一步縮小到僅一層碳原子的厚度，在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，要打破這一紀(jì)錄是非常困難的。 單層石墨烯厚度僅0.34納米，本身是平面結(jié)構(gòu)，這就要求溝道是垂直結(jié)構(gòu)，這是一大難題。另外石墨烯除了側(cè)壁能夠柵控，其表面也能柵控，因此屏蔽石墨烯表面電場(chǎng)也是難點(diǎn)，中國(guó)團(tuán)隊(duì)使用自氧化鋁層來(lái)完成這一點(diǎn)。 二維薄膜的未來(lái)集成電路將會(huì)帶來(lái)柔軟、透明、高密度的芯片。如果使用新材料，就有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)全柔性的手機(jī)——其CPU、存儲(chǔ)器都是軟的，而且更加節(jié)能。 『本文轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除』
發(fā)布時(shí)間： : 2023-02-16 瀏覽量 : 0
臺(tái)版“芯片法案”將出臺(tái)引島內(nèi)熱議，臺(tái)積電等回應(yīng)

臺(tái)版“芯片法案”將出臺(tái)引島內(nèi)熱議，臺(tái)積電等回應(yīng)

[環(huán)球時(shí)報(bào)特約記者 陳立非]為確保臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球的領(lǐng)先地位，臺(tái)“行政院”17日通過(guò)被稱(chēng)為“臺(tái)版芯片法”的“產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新條例”修正草案，之后將送“立法院”審議。臺(tái)媒稱(chēng)，未來(lái)臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科等半導(dǎo)體大廠(chǎng)都有機(jī)會(huì)適用。 　　修正草案明定，在島內(nèi)進(jìn)行前瞻技術(shù)創(chuàng)新、且居國(guó)際供應(yīng)鏈關(guān)鍵地位的公司，符合“適用資格條件者”，其在前瞻創(chuàng)新研究發(fā)展的25%支出可抵減當(dāng)年度應(yīng)納營(yíng)利事業(yè)所得稅額，購(gòu)置先進(jìn)設(shè)備的5%支出抵減當(dāng)年度營(yíng)利事業(yè)所得稅額，且無(wú)投資抵減支出金額上限。不過(guò)，單項(xiàng)投資抵減總額不得超過(guò)當(dāng)年度納稅額的30%，兩項(xiàng)同時(shí)申請(qǐng)則以稅額的50%為限。 　　臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》舉例稱(chēng)，假設(shè)一家公司2023年度前瞻創(chuàng)新研發(fā)支出為100億元（新臺(tái)幣，下同）、投資先進(jìn)制程機(jī)器設(shè)備150億元，抵減前應(yīng)納稅額為60億元。如果該公司符合規(guī)定，則研發(fā)支出100億元中，雖然可享25%優(yōu)惠，但因?yàn)楣緫?yīng)納營(yíng)業(yè)所得稅的30%，也就是最高只有18億元可計(jì)入抵減，因此研發(fā)項(xiàng)目享有18億元的抵減優(yōu)惠。另外，在設(shè)備支出的150億元中，以機(jī)器設(shè)備投抵5%的租稅優(yōu)惠為7.5億元。也就是說(shuō)，該公司前瞻創(chuàng)新研發(fā)支出加上機(jī)器設(shè)備支出兩項(xiàng)，2023年度可享有投資抵減25.5億元（18億元+7.5億元）。 　　針對(duì)此消息，臺(tái)積電稱(chēng)會(huì)持續(xù)投資臺(tái)灣，對(duì)此法案樂(lè)觀(guān)其成。日月光集團(tuán)旗下日月光半導(dǎo)體執(zhí)行長(zhǎng)吳田玉也稱(chēng)，未來(lái)十年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大環(huán)境會(huì)有更大的挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)在全球高額補(bǔ)助及多重管制之下，競(jìng)爭(zhēng)將更為艱難。此次“產(chǎn)創(chuàng)條例”的修法，業(yè)界樂(lè)觀(guān)其成，實(shí)質(zhì)影響有待法規(guī)細(xì)節(jié)及配套措施。力積電董事長(zhǎng)黃崇仁則在采訪(fǎng)中表示，當(dāng)局通過(guò)設(shè)備投資抵減，照顧臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的美意，他給予肯定并樂(lè)觀(guān)其成，但硬冠上“前瞻研發(fā)”及“先進(jìn)制程設(shè)備”，似乎只想針對(duì)臺(tái)積電或少數(shù)設(shè)備商提供補(bǔ)助。 　　臺(tái)灣《中國(guó)時(shí)報(bào)》17日引用分析師的話(huà)稱(chēng)，當(dāng)局推出相關(guān)補(bǔ)助政策，有利島內(nèi)半導(dǎo)體廠(chǎng)商的競(jìng)爭(zhēng)力，但目前半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整，成熟制程的產(chǎn)能利用率下滑明顯，廠(chǎng)商營(yíng)收和獲利將被影響，因此對(duì)相關(guān)個(gè)股持中立的看法。 　　另有分析認(rèn)為，民進(jìn)黨當(dāng)局大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一方面是希望從打造“護(hù)臺(tái)神山”到打造“護(hù)臺(tái)群山”，同時(shí)也是通過(guò)加大半導(dǎo)體供應(yīng)鏈在美國(guó)心目中的分量，強(qiáng)化臺(tái)灣安全。輿論則擔(dān)憂(yōu)，臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)高度集中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，可能會(huì)染上“荷蘭病”，也就是高科技長(zhǎng)期一枝獨(dú)秀，產(chǎn)業(yè)發(fā)展不均，加速M(fèi)型化社會(huì)發(fā)展，進(jìn)一步拉大島內(nèi)貧富差距。 ?
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